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掃描電子顯微鏡（簡稱掃描電鏡，SEM）是繼透射電鏡之后發展起來的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同，掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以是二次電子（被入射電子轟擊出來的樣品核外電子）、背散射電子（被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子）或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號。現以二次電子像的成像過程來說明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發射的能量為5-35KeV的電子，以其交叉斑作為電子源，經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成

具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產生二次電子發射（以及其他物理信號），二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉換成電訊號，經視頻放大后輸入到顯像管柵極，調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

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壓敏電阻器在電路的過電壓防護中，如果正常工作在預擊穿區和擊穿區，理論上是不會損壞的。但由于壓敏電阻器要長期承受電源電壓，電路中暫態過電壓、超能量過電壓隨機的不斷沖擊及吸收電路儲能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會損壞的它的壽命根據所在電路經受的過電壓幅值和能量的不同而不同。

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